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碳化硅研磨桶的加工工藝主要分為以下幾個(gè)工序：切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋（CMP）。切割是將SiC晶棒沿著(zhù)一定的方向切割成晶體薄片的過(guò)程。將SiC晶棒切成翹曲度小，厚度均勻的晶片，目前常規的切割方式是多線(xiàn)砂漿切割。
由于SiC的高硬度，研磨過(guò)程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。常規的研磨工藝一般分為粗磨和精磨。粗磨采用鑄鐵盤(pán)+單晶金剛石研磨液雙面研磨的方式。
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